測試電容器的電容會影響電容器兩側的電壓。

圖4：HBM的ESD測試電路

在測試電容器的電容（Cx）和在兩側發生的電壓（Vx）之間建立以下關系。

當供電電壓（Vd）和充電電容器（Cd）的電容恒定時，隨著測試電容器的電容（Cx）變大，在測試電容器兩側發生的電壓（Vx）變低。

因此，通常，隨著測試電容器的電容變大，ESD電阻趨于變高。

實際上，由于耐壓的邊際性能隨著設計的差異而變化，例如電介質的類型和厚度，該值并不總是與上述趨勢相匹配。

多層陶瓷電容器的ESD抗性

多層陶瓷電容器（GCM系列）的ESD電阻參考數據如下所示。

圖5：高介電類型電容器ESD測試結果（Vd = 25 kV是測量極限）